规格书 |
CSD01060 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,500 |
二极管型 | Silicon Carbide Schottky |
电压 - 直流反向(VR)(最大值) | 600V |
电流 - 平均整流(Io) | 2.2A |
电压 - 正向(Vf)(最大)@ | 1.8V @ 1A |
速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
反向恢复时间(trr) | 0ns |
电流 - 反向漏VR | 100µA @ 600V |
电容@ Vr,F | 80pF @ 0V, 1MHz |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 | TO-252-2 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
RoHS | RoHS Compliant |
产品 | Schottky Silicon Carbide Diodes |
峰值反向电压 | 600 V |
正向连续电流 | 100 uA |
最大浪涌电流 | 7 A |
配置 | Single |
正向电压下降 | 1.6 V |
最大反向漏泄电流 | 100 uA |
最大功率耗散 | 21.4 W |
安装风格 | SMD/SMT |
封装/外壳 | TO-252-2 |
封装 | Reel |
最大二极管电容 | 80 pF |
电流 - Vr时反向漏电 | 100µA @ 600V |
安装类型 | Surface Mount |
电压 - 正向(Vf) (最大) | 1.8V @ 1A |
电压 - ( Vr)(最大) | 600V |
热阻 | 7°C/W Jc |
电容@ Vr ,F | 80pF @ 0V, 1MHz |
供应商设备封装 | TO-252-2 |
反向恢复时间(trr ) | 0ns |
工作温度 - 结 | -55°C ~ 175°C |
标准包装 | 2,500 |
电流 - 平均整流(Io ) | 2.2A |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
二极管类型 | Silicon Carbide Schottky |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | CSD01060E-CT |
If - Forward Current | 100 uA |
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage | 600 V |
工厂包装数量 | 2500 |
最高工作温度 | + 175 C |
品牌 | Cree, Inc. |
Pd - Power Dissipation | 21.4 W |
Ir - Reverse Current | 100 uA |
Ifsm - Forward Surge Current | 7 A |
技术 | SiC |
最低工作温度 | - 55 C |
工作温度范围 | - 55 C to + 175 C |
Vf - Forward Voltage | 1.6 V |
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